ガリウムナイトライド/GaN

高性能デバイス開発を支える
次世代ワイドバンドギャップ
半導体材料

GaN基板は、青紫色レーザ(Blu-ray)、高出力LED、純緑色レーザなどの光デバイスに加え、高周波デバイスやパワーデバイス開発に広く利用されています。近年はレーザプロジェクタ向けに、非極性・半極性基板を用いた青色/緑色レーザの研究も進んでいます。当社では、GaNテンプレートおよびHVPE法によるGaN自立基板(バルク)を販売しており、研削・研磨などの受託加工にも対応しております。
GaN Template(GaN on Sapphire など)
サファイアやSiC、Siなどの基板上にGaN層を形成した材料で、LED・LDなどの光デバイス開発に広く利用されているGaNテンプレート。量産性が高く、初期成膜の品質安定化や歩留まり向上に有効です。非極性・半極性にも対応しており、青色・緑色レーザなど波長制御が求められる用途にも適しています。
※こちらはGaNテンプレート基板の基本仕様となりますので、ご注意ください。

仕様

標準仕様
直径 Φ2″、Φ3″、Φ4″、Φ6″
GaN膜厚 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、~100μm特別指定可能
結晶方位 C-axis(0001)
導電タイプ Un Dope、N-type、P-type
転移密度 ≦ 5×108/cm2
XRD (002)≦ 300arcsec、(102)≦400arcsec
結晶構造 GaN on Sapphire  /   GaN on Silicon  /   GaN on SiC
Sub基板 サファイア基板 / シリコン基板 / SiC基板 / GaAs基板
梱包 クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース
※ 上記以外の仕様については別途ご相談ください。
Standing GaN Substrate(GaNバルク、GaN自立基板)
HVPE法で成長したGaN自立基板(バルク)は、高結晶性・低欠陥密度を実現した高品質GaN基板です。熱伝導性にも優れ、パワーデバイスや高出力レーザなど、高性能が求められるアプリケーションに最適です。

仕様

標準仕様
品目 SF-ncA-Ф50 SF-ncA-Ф100
直径 Ф2″ Ф4″
有効面積 > 90%
厚さ 350 ± 25 μm/400 ± 30 μm/450 ± 30 μm
結晶方位 C-axis(0001)±0.5°
OF方位 (1-100) ± 0.5°, 16 ± 2mm (1-100) ± 0.5°, 32 ± 2mm
SOF方位 (11-20) ± 3°, 8 ± 2mm (11-20) ± 3°, 16 ± 2mm
TTV ≦15 μm ≦20 μm
BOW ≦20 μm ≦60 μm
タイプ Un-dope(N-type)/ Si-dope (N-type)
C-dope (Semi-Insulating)
Fe-dope (Semi-Insulating)
抵抗値(300K) ≦ 0.5 Ω・cm/≦ 0.05 Ω・cm/≧ 1E8 Ω・cm
転位密度 ≦ 1×106 cm-2 ≦ 1×107 cm-2
表面粗さ 表面:Ra < 0.3nm エピ対応研磨済み
裏面:研磨済み
梱包 クリーンルーム(クラス100)
25枚入りカセットケース
シングルケース
※ 上記以外の仕様については別途ご相談ください。

GaN自立基板(バルク)カスタムサイズ

標準仕様
品目  SF-ncA-L18 SF-ncB-L18
直径 (10±0.5)mm×(15±0.5)mm
Customized
有効面積 > 90%
厚さ 400 ± 30 μm 450 ± 30 μm
結晶方位 C-axis(0001)±1°
TTV ≦10 μm
BOW ≦10 μm
タイプ Un-dope(N-type)/ Si-dope (N-type)/
C-dope (Semi-Insulating)
抵抗値(300K) ≦ 0.5 Ω・cm / ≦ 0.05 Ω・cm / ≧ 1E8 Ω・cm
転位密度 ≦ 5×106 cm-2
表面粗さ 表面:Ra < 0.3nm エピ対応研磨済み
裏面:研磨済み
梱包 クリーンルーム(クラス100)
25枚入りカセットケース
シングルケース

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