高性能デバイス開発を支える
次世代ワイドバンドギャップ
半導体材料
GaN基板は、青紫色レーザ(Blu-ray)、高出力LED、純緑色レーザなどの光デバイスに加え、高周波デバイスやパワーデバイス開発に広く利用されています。近年はレーザプロジェクタ向けに、非極性・半極性基板を用いた青色/緑色レーザの研究も進んでいます。当社では、GaNテンプレートおよびHVPE法によるGaN自立基板(バルク)を販売しており、研削・研磨などの受託加工にも対応しております。
GaN Template(GaN on Sapphire など)
サファイアやSiC、Siなどの基板上にGaN層を形成した材料で、LED・LDなどの光デバイス開発に広く利用されているGaNテンプレート。量産性が高く、初期成膜の品質安定化や歩留まり向上に有効です。非極性・半極性にも対応しており、青色・緑色レーザなど波長制御が求められる用途にも適しています。
仕様
| 標準仕様 | ||
|---|---|---|
| 直径 | Φ2″、Φ3″、Φ4″、Φ6″ | |
| GaN膜厚 | 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、~100μm特別指定可能 | |
| 結晶方位 | C-axis(0001) | |
| 導電タイプ | Un Dope、N-type、P-type | |
| 転移密度 | ≦ 5×108/cm2 | |
| XRD | (002)≦ 300arcsec、(102)≦400arcsec | |
| 結晶構造 | GaN on Sapphire / GaN on Silicon / GaN on SiC | |
| Sub基板 | サファイア基板 / シリコン基板 / SiC基板 / GaAs基板 | |
| 梱包 | クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース | |
Standing GaN Substrate(GaNバルク、GaN自立基板)
仕様
| 標準仕様 | ||
|---|---|---|
| 品目 | SF-ncA-Ф50 | SF-ncA-Ф100 |
| 直径 | Ф2″ | Ф4″ |
| 有効面積 | > 90% | |
| 厚さ | 350 ± 25 μm/400 ± 30 μm/450 ± 30 μm | |
| 結晶方位 | C-axis(0001)±0.5° | |
| OF方位 | (1-100) ± 0.5°, 16 ± 2mm | (1-100) ± 0.5°, 32 ± 2mm |
| SOF方位 | (11-20) ± 3°, 8 ± 2mm | (11-20) ± 3°, 16 ± 2mm |
| TTV | ≦15 μm | ≦20 μm |
| BOW | ≦20 μm | ≦60 μm |
| タイプ |
Un-dope(N-type)/ Si-dope (N-type) C-dope (Semi-Insulating) Fe-dope (Semi-Insulating) |
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| 抵抗値(300K) | ≦ 0.5 Ω・cm/≦ 0.05 Ω・cm/≧ 1E8 Ω・cm | |
| 転位密度 | ≦ 1×106 cm-2 | ≦ 1×107 cm-2 |
| 表面粗さ |
表面:Ra < 0.3nm エピ対応研磨済み 裏面:研磨済み |
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| 梱包 |
クリーンルーム(クラス100) 25枚入りカセットケース シングルケース |
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GaN自立基板(バルク)カスタムサイズ
| 標準仕様 | ||
|---|---|---|
| 品目 | SF-ncA-L18 | SF-ncB-L18 |
| 直径 |
(10±0.5)mm×(15±0.5)mm Customized |
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| 有効面積 | > 90% | |
| 厚さ | 400 ± 30 μm | 450 ± 30 μm |
| 結晶方位 | C-axis(0001)±1° | |
| TTV | ≦10 μm | |
| BOW | ≦10 μm | |
| タイプ |
Un-dope(N-type)/ Si-dope (N-type)/ C-dope (Semi-Insulating) |
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| 抵抗値(300K) | ≦ 0.5 Ω・cm / ≦ 0.05 Ω・cm / ≧ 1E8 Ω・cm | |
| 転位密度 | ≦ 5×106 cm-2 | |
| 表面粗さ |
表面:Ra < 0.3nm エピ対応研磨済み 裏面:研磨済み |
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| 梱包 |
クリーンルーム(クラス100) 25枚入りカセットケース シングルケース |
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